文部科学省ナノテクプラットフォーム
平成29年度「秀でた利用成果」最優秀賞を受賞

018年2月に開催された「nanotech 2018 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議」内において、文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム平成29年度「秀でた利用成果」の授賞式が行われました。 当社の研究課題「トレンチMOS構造を設けたGa2O3ショットキーバリアダイオード」は、イノベーション創出への影響力や多大な成果が認められ、今年度の最優秀賞を受賞しました。

ナノテクノロジープラットフォームは、ナノテクノロジーに関する最先端の研究設備とその活用のノウハウを有する機関が緊密に連携して、全国的な設備の共用体制を共同で構築する事業です。 文部科学省が主導するこの事業によって、現在全国26の機関が設備の共同利用・技術者による支援等を行い、産官学連携や異分野融合を推進、研究開発の加速を支援しています。

ナノテクノロジープラットフォームでは毎年度、当制度を利用した研究開発の中で特に優れた研究成果を選定し、表彰を行っています。
選定にあたっては、
  ①イノベーションの創出にあたって大きな影響が期待できるもの、
  ②産業界・大学・公的機関の連携により大きな成果が得られたもの、
  ③ナノテクノロジープラットフォームの活用・支援が大きな効果をもたらしたもの、
という三つの基準において審査が行われます。 約3000件の利用から58件の候補が選ばれ、その中から6件の「秀でた利用成果」が決定しました。
当社の研究課題「トレンチMOS構造を設けたGa2O3ショットキーバリアダイオード」は、さらにその中から最優秀賞に選ばれました。

今回の賞は、当社社員の努力だけではなく、ナノテクプラットフォーム各機関のご協力のおかげで受賞することができました。
当社の研究開発成果を高く評価いただけたことを誇りに、これからも多くの研究開発機関と連携しながら、世界をリードする技術革新に尽力してまいります。