Novel Crystal Technology will participate in the 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials（IWGO-4）at Nagano on October 23-27. We will introduce latest development results.

Date: October 23-27, 2022 *JST — Japan Standard Time
Location : THE SAIHOKUKAN HOTEL

■2022/10/24 MON
【Section】 Poster 1 (Bulk, Epitaxy, Process)
【Speech】 Poster
【Time】17:30 ~ 19:00　
【Title】「Sub-oxide vapor phase epitaxy for the growth of high-purity gallium oxide」

■2022/10/25 TUE
【Section】 Epitaxy 2 (CVD)
【Speech】 Oral
【Time】11:00 ~ 11:15　
【Title】「Crystallinity improvement of 100-mm-diameter β-Ga₂O₃ epitaxial wafer」

■2022/10/26 WED
【Section】 Device 2
【Speech】 Oral
【Time】15:00 ~ 15:15　
【Title】「Large-size (4.1 × 4.1 mm²) β-Ga₂O₃ field-plated MOSSBD with a 948 V / 27 A handling
capability」

【Section】 Bulk
【Speech】 Oral
【Time】16:00 ~ 16:15　
【Title】「2-inch Fe-doped (010) β-Ga₂O₃ substrates prepared by vertical Bridgman method」

■2022/10/27 THU
【Section】 Device 3
【Speech】 Invited Speech
【Time】10:45 ~ 11:15　
【Title】「5.0 kV normally-off β-Ga₂O₃ FinFET with 42 μm-thick drift layer and HfO₂ gate insulator」

Official Web site: https://iwgo2022.org/