論文タイトル
Suboxide vapor phase epitaxy for growth of high-purity gallium oxide
発行日
2023年3月15日
概要
高純度Ga2O3の気相成長のためのGa源として、ガリウムサブオキサイド(Ga2O)を用いることを提案します。サブオキサイドはGa2O3とGaの反応で効率よく生成され、Ga2O3のエピタキシャル成長に利用できることを熱化学的解析により示しました。β-Ga2O3 (001)基板上にGa2OとO2を原料としてGa2O3の結晶成長を行い、高純度エピタキシャル層を得ました。SiやSnなどのドナー不純物は検出されませんでした。
リンク
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/acbeb8