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研究開発成果
研究開発成果
2024.09.27
β-Ga
2
O
3
パワーデバイスの開発状況
2024.09.27
Fabrication of Ampere-Class p-Cu
2
O/n-β-Ga
2
O
3
Trench Heterojunction Barrier Schottky Diodes and Double-Pulse Evaluation
2024.09.27
Nitrogen-doped β-Ga
2
O
3
vertical transistors with a threshold voltage of ⩾1.3 V and a channel mobility of 100 cm
2
V
−1
s
−1
2024.09.27
Large-size (1.7 × 1.7 mm
2
) β-Ga
2
O
3
field-plated trench MOS-type Schottky barrier diodes with 1.2 kV breakdown voltage and 10
9
high on/off current ratio
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