論文タイトル：
Nitrogen-doped β-Ga₂O₃ vertical transistors with a threshold voltage of ⩾1.3 V and
a channel mobility of 100 cm² V⁻¹ s⁻¹

雑誌名：
Applied Physics Express 16, 036503 (2023)

発行日：
2023年3月

概要
　ハライド気相成長法で成長させた窒素ドープβ-Ga₂O₃高抵抗層をウエル層として使用した、1.0～2.0 μmの広いフィン幅を持つ縦型ノーマリーオフマルチフィンβ-Ga₂O₃トランジスタを作製しました。しきい値電圧は⩾1.3 Vのノーマリオフ特性を示し、特性オン抵抗2.9 mΩ·cm²、ゲート電圧+10 Vでの電流密度760 A cm⁻²を示しました。見積もったMOSチャネル電界効果移動度は、約100 cm²V⁻¹s⁻¹でした。これらの結果は、高抵抗ウエル層を有する縦型Ga₂O₃パワートランジスタの大きなポテンシャルを示しています。

リンク：
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/acc30e
https://doi.org/10.35848/1882-0786/acc30e