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研究開発成果
研究開発成果
2024.09.27
Prospects for β-Ga
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O
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: now and into the future (レビュー論文)
2024.09.27
Suboxide vapor phase epitaxy for growth of high-purity gallium oxide
2024.09.27
Uniformity improvement of thickness and net donor concentration in halide vapor phase epitaxial β-Ga
2
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wafers prepared on miscut angle substrates
2024.09.27
Surface states on (001) oriented β-Ga
2
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epilayers, their origin, and their effect on the electrical properties of Schottky barrier diodes
2024.09.27
Effects of Oxygen Annealing of β-Ga
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Epilayers on the Properties of Vertical Schottky Barrier Diodes
2024.09.27
Surface related tunneling leakage in β-Ga
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(001) vertical Schottky barrier diodes
2024.09.27
Depletion-mode vertical Ga
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trench MOSFETs fabricated using Ga
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homoepitaxial films grown by halide vapor phase epitaxy
2024.09.27
Preparation of 2-in.-diameter (001) β-Ga
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homoepitaxial wafers by halide vapor phase epitaxy
2024.09.27
First Demonstration of Ga
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Trench MOS-Type Schottky Barrier Diodes
2024.09.27
β-Ga
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パワーデバイスの製品開発状況
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