論文タイトル：
Fabrication of Ampere-Class p-Cu2O/n-β-Ga2O3 Trench Heterojunction Barrier Schottky Diodes and Double-Pulse Evaluation
雑誌名：
2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
発行日：
2023年5月
概要
アンペア級β-Ga2O3トレンチヘテロ接合バリアショットキーダイオード（THJBS）の開発に初めて成功しました。エッチングプロセスに代わるリフトオフプロセスを用いてヘテロp-Cu2O/n-Ga2O3接合を形成し、アンペア級THJBSを実現しました。試作したβ-Ga2O3 THJBSは、順方向特性においてターンオン電圧1.1 V、最大電流3.5 A、特性オン抵抗21 mΩ⋅cm2が得られました。逆方向特性では、ブレークダウン電圧は-986 V、リーク電流は1.3×10-3 A/cm2でした。ダブルパルス測定では、一般的なショットキーバリアダイオード（SBD）と同様の高速かつ低損失のスイッチング挙動を示し、多数キャリアのみで動作していることが示されました。さらに、高温逆バイアス（HTRB）試験では、428時間のストレス下でも破壊のない安定した逆電流が確認されました。これらの結果から、アンペアクラスのβ- Ga2O3 THJBSは、高速スイッチング、低損失、高信頼性が求められる用途に適していることが確認されました。