論文タイトル：
β-Ga2O3パワーデバイスの開発状況
誌名：
電子情報通信学会論文誌 C Vol.J107-C No.8 pp.284-291
発行日：
2024年8月1日
概要：
β-Ga2O3パワーデバイスの開発状況に関して述べました．β-Ga2O3は高い絶縁破壊電界強度を有し，低損失，高耐圧パワーデバイスの実現を可能とする魅力的なウルトラワイドバンドギャップ半導体材料です．しかしながらβ-Ga2O3はp型導電層技術が未確立であるためp型導電層を用いないデバイス構造の開発が必要となっています．我々は，ダイオードではトレンチMOS構造，ヘテロJBS構造を用いてアンペア級1 kV耐圧の素子を，トランジスタではFin構造を用いて5 kV耐圧の基本素子，高抵抗ウエル構造を用いてアンペア級1 kV耐圧のMOSトランジスタを開発しました．更にアンペア級MOSトランジスタでは500 kHzのスイッチング特性の初期評価を行いました．β-Ga2O3の高い絶縁破壊電界強度の特徴を活かしてSiCを超える低損失・高耐圧デバイスを実現するためには，今後，終端構造の開発が重要となると考えています．