論文タイトル
First Demonstration of Ga2O3 Trench MOS-Type Schottky Barrier Diodes
発行日
2017年6月
概要
β-Ga2O3トレンチMOS型ショットキーバリアダイオード(MOSSBD)を初めて開発しました。Snドープβ-Ga2O3 (001)単結晶基板上にハライド気相成長法によりSiドープGa2O3層を成長させました。トレンチ構造はドライエッチングとフォトリソグラフィを用いて作製しました。トレンチMOS構造の誘電体膜にはHfO2膜を用いました。通常のSBDとトレンチMOSSBDの特性オン抵抗(RON,SP)は約2.3 mΩcm2 と 2.9 mΩcm2 でした。MOSSBDのRON,SPが通常のSBDより若干高いのは、トレンチMOS構造を形成した結果、電流経路が減少したためです。通常のSBDは、アノード金属/半導体界面の電界が大きいため逆方向リーク電流が大きくなりました。一方、トレンチMOSSBDは通常のSBDよりも数桁小さい逆方向リーク電流を示し、Ga2O3 にトレンチ MOS 構造を導入することで、逆方向リーク電流を低減できることを実証しました。