論文タイトル
Preparation of 2-in.-diameter (001) β-Ga₂O₃ homoepitaxial wafers by halide vapor phase epitaxy

発行日
2017年10月19日

概要
　ハライド気相成長法による厚膜Ga₂O₃ホモエピタキシャル層を2インチβ-Ga₂O₃基板上に成長しました。Siドープn型層について、3–4 µm/hの成長速度が確認されました。ホモエピタキシャル膜の平均厚さは10.9 μm、キャリア濃度は2.7×10¹⁶ cm^-3で、標準偏差はそれぞれ1.8 μm(16.5%)、0.5×10¹⁶ cm^-3(19.7%)でした。キャリア濃度3.4×10¹⁶ cm^-3、厚さ5.3 μmのホモエピタキシャル層を用いて作製したNiショットキーバリアダイオードは、室温で200 V以上の耐圧と3.8-7.7 mΩcm²のオン抵抗という妥当な逆方向および順方向特性を示しました。

リンク
https://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.56.110310