論文タイトル
Surface related tunneling leakage in β-Ga2O3 (001) vertical Schottky barrier diodes
発行日
2019年6月24日
概要
ハライド気相成長させたβ-Ga2O3 (001)ホモエピタキシャルウエハ上に作製されたショットキーバリアダイオードは、熱電子電界放出理論では説明できない異常な逆方向リーク特性を示しました。容量-電圧特性および電流密度-電圧特性の測定とシミュレーションによる系統的な検討から、エピタキシャル層表面に酸素空孔密度の高い薄い層が存在することが示唆されました。この薄い表面層が電子のトンネリングを可能にし、異常な逆方向リーク特性を引き起こしていると考えられます。酸化雰囲気でエピタキシャル層をアニールすると、表面の酸素空孔が不活性化され、逆方向リーク電流が大幅に減少しました。
リンク
https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/ab2824