論文タイトル
Uniformity improvement of thickness and net donor concentration in halide vapor phase epitaxial β-Ga₂O₃ wafers prepared on miscut angle substrates

発行日
2023年2月10日

概要
　膜厚及びドナー濃度が高い均一性を有する100 mm β-Ga₂O₃(001)エピタキシャルウエハをハライド気相成長法により実現しました。ミスカット角が0°に近い基板上に成長したエピタキシャル膜は、成長速度が低く残留ドナー濃度の高い領域がエピタキシャル膜の一部に発生し、ウエハの均一性が悪くなりました。一方、ミスカット角-0.1°の基板上に成長したエピタキシャル膜では、前述の特異な領域の発生が抑制され、平均膜厚10.6 μmで膜厚分布5%、平均ドナー濃度1.1×10¹⁶　cm^-3で濃度分布7%を実証しました。

リンク
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/acb4fb