ノベルクリスタルテクノロジーは、2022年10月23日（日）～27日（木）に長野で開催されるThe 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials（IWGO-4）にて開発成果を発表します。

【場所】THE SAIHOKUKAN HOTEL

■2022年10月24日（月）
【セクション】Poster 1 (Bulk, Epitaxy, Process)
【講演】ポスター
【時間】17:30 ~ 19:00　
【タイトル】「Sub-oxide vapor phase epitaxy for the growth of high-purity gallium oxide」

■2022年10月25日（火）
【セクション】Epitaxy 2 (CVD)
【講演】口頭
【時間】11:00 ~ 11:15　
【タイトル】「Crystallinity improvement of 100-mm-diameter β-Ga₂O₃ epitaxial wafer」

■2022年10月26日（水）
【セクション】Device 2
【講演】口頭
【時間】15:00 ~ 15:15　
【タイトル】「Large-size (4.1 × 4.1 mm²) β-Ga₂O₃ field-plated MOSSBD with a 948 V / 27 A handling
capability」

【セクション】Bulk
【講演】口頭
【時間】16:00 ~ 16:15　
【タイトル】「2-inch Fe-doped (010) β-Ga₂O₃ substrates prepared by vertical Bridgman method」

■2022年10月27日（木）
【セクション】Device 3
【講演】招待講演
【時間】10:45 ~ 11:15　
【タイトル】「5.0 kV normally-off β-Ga₂O₃ FinFET with 42 μm-thick drift layer and HfO₂ gate insulator」

詳細はこちら：https://iwgo2022.org/