「アンペア級電流・1200 V耐圧の酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの開発」が、電子デバイス産業新聞主催の第28回半導体・オブ・ザ・イヤー2022 半導体デバイス部門において、グランプリを受賞しました。

本賞は、半導体デバイス部門、半導体製造装置部門、半導体用電子材料部門で選定されます。2021年4月～2022年3月の間に新製品（バージョンアップ等を含む）として発表された製品・技術、および電子デバイス産業新聞で紹介された新製品の中から、開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準として、記者の投票により選出されます。

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≫ 公式HP：第28回半導体・オブ・ザ・イヤー2022　
≫ 2021/12/24 ニュースリリース：世界初、アンペア級・1200 V耐圧の「酸化ガリウムショットキーバリアダイオード」を開発